八十盛典，辉煌永恒 第80届中国电子展10月上海隆重登场

同时，盛典司宏国称目前计划在明年第一季度推出下一代XR芯片，盛典将比MetaQuest头显采用的第二代芯片（XR2）更加先进，预计在图形处理能力、视频透视能力和AI性能均会优于第二代芯片。

图二、辉煌永恒第海隆基于摩擦电微等离子体的表面离子栅调控技术（a）SIG调控技术结构示意图。2003年起，届中在河南大学特种功能材料教育部重点实验室工作，2013-2016年在佐治亚理工学院做访问学者，从事纳米结构与光电器件的研究。

图五、国电表面离子栅对光电特性的调控机制ZnO纳米线薄膜上的离子吸附及其能带结构示意图。文章链接：展重登https://doi.org/10.1016/j.nanoen.2020.104808【作者简介】程纲，展重登男，1978年生，博士，教授，博士生导师，国家优秀青年基金获得者，河南省高校创新团队带头人，河南省科技创新杰出青年，河南省学术技术带头人。由于TENG的低成本和易操作性，月上基于摩擦电微等离子体的浮动离子栅技术可以用于器件系统的构建，月上为开发性能更高的新型电子和光电子纳米器件提供了新的思路和有效的策略。

盛典（b）单次气体放电调控纳米线薄膜器件在单次气体放电调控中接受到的电荷量。图四、辉煌永恒第海隆纳米线薄膜紫外光探测器的表面离子栅调控特性纳米线薄膜紫外光检测器在未施加/施加SIG调控时的I-V-T曲线。

本工作得到了国家自然科学基金委、届中河南省科技厅和河南大学的大力支持。

国电(d)SIG调控后的器件在真空环境下不同时间的I-V曲线（e）及I-T曲线（f）。展重登e-h）PM1-N/C的EDS元素分布。

月上k）不同配位阴离子和Ir（111）表面的Ir1活性位点的理论ORR起始电位与OH*吸附能的关系。【图文导读】图1顺序配位法合成PM/ZIF-seq的示意图及形貌结构表征a）使用传统的同步配位方法合成PM/ZIF-simu的示意图，盛典碳化后将其转换为掺氮的多孔碳负载纳米颗粒催化剂（NPs/NPC）。

固相合成法还成功制备了稀土Y和Sc单原子催化剂，辉煌永恒第海隆是稀土单原子催化剂的首次报道【ACS Nano 2020, 14, 1093-1101】。图4PM1-N/C（PM=Ir、届中Rh、Pd和Pt）在酸性电解液中的ORR活性测试和理论计算a-d）PM1-N/CSAC和相应的纳米颗粒催化剂在O2饱和的0.1MHClO4中的极化曲线。